IXFH26N50P3原装

IXFH26N50P3 /MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET

IXFH26N50P3的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:IXYS

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:26 A

Rds On-漏源导通电阻:240 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:42 nC

小工作温度:- 55 C

大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:HiPerFET

封装:Tube

高度:21.46 mm

长度:16.26 mm

系列:IXFH26N50

晶体管类型:1 N-Channel

类型:Polar3 HiPerFET Power MOSFET

宽度:5.3 mm

商标:IXYS

正向跨导 - 小值:14 S

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7 ns

工厂包装数量:30

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:38 ns

典型接通延迟时间:21 ns

单位重量:1.600 g